瑞士制造的第一塊氧化鉬芯片的性能與石墨烯相當(dāng)

瑞士制造的第一塊氧化鉬芯片的性能與石墨烯相當(dāng)

介紹瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）的科學(xué)家聲稱他們已經(jīng)制造了第一個原型氧化鉬芯片，該芯片的性能在實驗中很好，這證實了其在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域的突出表現(xiàn)。

據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)絡(luò)12月6日報道，位于瑞士洛桑的聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）總部聲稱已經(jīng)制造了第一個原型氧化鉬芯片。該芯片的性能在實驗中很好，這證實了其在半導(dǎo)體芯片M領(lǐng)域的優(yōu)異性能。這意味著商業(yè)氧化鉬芯片離現(xiàn)實更近了一步。

今年年初，學(xué)校公布了鉬的潛在性質(zhì)，引起了人們對這種新材料的關(guān)注。研究人員說，鉬可以用來制造更小、更節(jié)能的芯片。這種材料不僅性能優(yōu)于硅，而且在某些方面也優(yōu)于石墨烯。它有望成為下一代半導(dǎo)體材料的強大競爭對手。

該原型芯片由該大學(xué)的納米電子學(xué)和結(jié)構(gòu)實驗室（Lanes）開發(fā)。研究人員通過將兩到六個晶體管串聯(lián)起來獲得了原型芯片，實驗結(jié)果表明，該原型芯片能夠進(jìn)行基本的二進(jìn)制邏輯運算。

納米電子學(xué)和結(jié)構(gòu)實驗室主任安德拉斯·基思說，鉬是一種具有巨大潛力的新材料，這一實驗已經(jīng)證明了這一點。他說，鉬的主要優(yōu)勢在于它有助于進(jìn)一步減小晶體管的尺寸，從而創(chuàng)造出更小、性能更好的電子器件。對于硅來說，芯片的最終厚度為2納米，因為如果厚度較小，芯片的表面在環(huán)境中很容易氧化，影響其電性能。由氧化鉬制成的芯片即使在三個原子的厚度下也能正常工作，并且材料的導(dǎo)電性穩(wěn)定可控。這個比例。

鉬的另一個優(yōu)點是它的帶隙優(yōu)勢，這使得用它制成的芯片切換速度更快，能耗更低。以前的實驗表明，單層氧化鉬制成的晶體管在穩(wěn)定狀態(tài)下比傳統(tǒng)的硅晶體管能耗低10萬倍。此外，其獨特的機械性能輝鉬礦也使其成為一種柔性芯片材料。這種新材料將給未來的芯片帶來更多有趣的功能，如可根據(jù)用戶面部曲線彎曲的柔性計算機或手機。

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